日本研发出可在最高600°C温度下工作的晶体管
日本科学家研发出一种基于碳化硅的晶体管，该器件可在最高600°C的温度下稳定工作。据Live Science报道，这项开发成果可能用于探索金星表面的着陆器，金星表面温度可达460°C。
耐高温性能
这款新器件属于结型场效应晶体管，即JFET。此类晶体管通过电场调节电流的通过。与用于智能手机和计算机的常见MOSFET晶体管相比，它们更难小型化，但JFET产生的噪声可能更少，因为其工作不使用氧化物层。
碳化硅长期以来一直被视为适合在极端环境中工作的电子设备的材料。与此同时，早期的SiC-JFET面临可控性不足和显著漏电流的问题。在超过350°C的温度下，碳化硅衬底的电阻可能会降低，因此即使晶体管关闭，电流也可能通过。
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底栅结构
该团队采用了底栅结构，将栅极置于导电碳化硅沟道下方。这种方法旨在限制掺杂原子渗入对开启沟道所需阈值电压的影响。研究人员还在晶体管周围形成了两个半导体区域，其边界为不必要的电流通过形成屏障。
在测试中，该器件在从室温到600°C的温度范围内接受了检验。在约400°C时，阈值电压误差小于0.1伏特。该结构的描述于8月17日发表在《APL Electronic Devices》期刊上。
除金星探测器外，开发人员还在考虑将这类晶体管用于喷气发动机。在实际应用之前，该器件仍需集成到更复杂的电路中、扩大至晶圆级别，并测试整个电子设备封装对高温和高压的耐受性。
