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台积电和三星计划引入ASML新型EUV系统

列夫·舍夫佐 09 九月 2026 01:16
台积电和三星计划引入ASML新型EUV系统

在台湾,《台北时报》报道称,台积电计划从2030年起使用ASML高数值孔径系统进行芯片量产。三星电子打算在2028年前开始使用这类设备生产计算机内存。英特尔已经获得了相关机器。

这些是高数值孔径极紫外光刻系统。一套此类设备的成本可能高达4亿美元。台积电为英伟达和苹果等公司生产专用芯片,而三星是领先的存储芯片制造商。

转向更大尺寸的光掩模

ASML、台积电、三星和英特尔还同意从标准的6英寸光掩模转向12英寸光掩模。光掩模是半导体制造的关键组成部分:它们用于通过光将电路图像转移到硅晶圆上。

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这些公司预计,在对更强大人工智能技术的需求不断增长的情况下,更大尺寸的光掩模将有助于提高生产效率并降低成本。ASML首席技术官马尔科·彼得斯表示,这项新技术可将高数值孔径系统的吞吐量提高40%,并简化设计流程。

技术实施时间表

台积电最初将使用配备现有6英寸光掩模的ASML系统。该公司与ASML计划在2031年前建立一条用于生产12英寸掩模的测试线,并在2033年前将这项技术应用于使用高数值孔径设备的生产。

三星表示,将与行业合作伙伴共同开发光掩模技术和必要的基础设施。英特尔表示,其已经能够向潜在客户提供新技术的优势,并且参与向更大尺寸光掩模过渡已超过三年。

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