三星将采用台积电3纳米工艺生产英伟达内存——Asharq Al-Awsat

三星电子将采用台湾企业台积电的3纳米工艺，为英伟达生产下一代高带宽内存基底芯片。Asharq Al-Awsat援引《首尔经济日报》报道称。

英伟达对内存制造商的要求

据该报报道，英伟达要求三星、SK海力士和美光科技在NVHBM基底芯片上采用台积电的工艺。对于主芯片，该公司还规定采用第六代DRAM技术。

这可能是三星首次在HBM制造阶段与这家台湾芯片代工企业合作。《首尔经济日报》报道称，三星在内部审议后同意了英伟达的要求。

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三星对其他产品的计划

英伟达于8月推出的NVHBM，在基底芯片中集成了该公司自主研发的内存控制器。英伟达表示，该解决方案将使不同内存供应商对该技术的实施标准化。

与此同时，三星计划在标准HBM以及面向其他客户的定制产品方面保留自身的生产模式。该报援引一名未具名消息人士称，如果需求超过台积电的产能，该公司还在评估在自身生产设施制造NVHBM基底芯片的可能性。