Samsung wykorzysta proces 3 nm TSMC do pamięci Nvidia — Asharq Al-Awsat

Samsung Electronics wykorzysta 3-nanometrowy proces technologiczny tajwańskiej firmy TSMC do produkcji bazowych układów pamięci wysokiej przepustowości nowej generacji dla Nvidii. Powołując się na Seoul Economic Daily, informuje o tym Asharq Al-Awsat.

Wymagania Nvidii wobec producentów pamięci

Według gazety Nvidia poprosiła Samsung, SK Hynix i Micron Technology o wykorzystanie procesu technologicznego TSMC do bazowych układów NVHBM. W przypadku głównych układów firma określiła również zastosowanie technologii DRAM szóstej generacji.

Może to być pierwszy przypadek współpracy Samsunga z tajwańskim kontraktowym producentem chipów na etapie wytwarzania HBM. Samsung zgodził się na wymagania Nvidii po wewnętrznym przeglądzie, podał Seoul Economic Daily.

Więcej aktualnych wiadomości na kanale UA.News w Telegramie Telegram.

Plany Samsunga dotyczące innych produktów

NVHBM, zaprezentowana przez Nvidię w sierpniu, została opracowana z własnym kontrolerem pamięci firmy zintegrowanym w bazowym układzie. Według Nvidii rozwiązanie to ma ujednolicić wdrażanie tej technologii przez różnych dostawców pamięci.

Jednocześnie Samsung planuje zachować własny model produkcyjny dla standardowej pamięci HBM oraz produktów dostosowanych do potrzeb innych klientów. Według anonimowego źródła cytowanego przez gazetę firma ocenia również możliwość produkcji bazowych układów NVHBM we własnych zakładach, jeśli popyt przekroczy możliwości TSMC.