默克在韩国启用芯片材料工厂——《韩国先驱报》

德国科技公司默克在韩国忠清北道阴城郡启用了一座新的半导体材料工厂。该工厂将生产二氯二氧化钼，这是一种在芯片制造过程中用于沉积超薄金属薄膜的化学物质。

据《韩国先驱报》报道，该工厂的产品将供应给韩国及其他亚洲国家的客户。在初期阶段，生产将集中于先进3D NAND闪存材料。这种闪存将存储单元按垂直层排列，以提高存储设备容量。

以钼替代钨

三星电子于2024年开始在第九代V-NAND中使用钼。据该刊报道，SK海力士正准备在具有375层的新一代NAND存储器中采用这种金属。

钼被视为钨的替代材料。随着元件缩小以及微芯片层数增加，钨的电阻问题变得日益突出。使用钼还可能减少对阻挡膜的需求，这些薄膜会占据芯片微观结构内部的空间。

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押注需求增长

默克电子业务首席执行官本杰明·海因称，韩国是半导体材料的三大关键市场之一。他表示，公司旨在为未来五年内半导体材料和解决方案需求可能翻倍做好准备。

默克将把阴城郡的前驱体生产与该公司位于京畿道安山市工厂制造的化学品输送系统相结合。默克表示，这一集成系统可使用装入容器材料的99%以上，可能减少废弃物和生产成本。

此次扩张是默克600百万欧元投资计划的一部分，该公司于2021年宣布了这一计划。随着制造商将多个微芯片组合成更复杂的系统，该公司还预计先进芯片封装的需求将增长。